Il se sent trop tôt pour que Qualcomm puisse même faire remarquer le nom de Snapdragon 835 à la suite ultra-haut de gamme demain à Beijing, lors de l'annonce attendue d'un processeur SD660 de gamme moyenne, mais il n'est jamais trop tôt pour que la rumeur fasse son apparition (timidement ) Commencent à agiter.
Nous avons peut-être même obtenu une confirmation du titan à semi-conducteur à base de San Diego selon lequel un Snapdragon 845 (finalement) suivra les traces du SD835 qui est encore relativement peu approvisionné, lancé commercialement dans le Galaxy S8 de Samsung et le Xiaomi Mi 6 uniquement.
Oui, l'abréviation SDM845 a été repérée sur le site officiel de la société pendant un moment, avant que quelqu'un ne se rendez compte de la confusion, en supprimant toutes les traces, aux côtés des références SDM630 et 660. SDM, bien sûr, représente Snapdragon Mobile, et il est tout à fait logique qu'un 845 vienne après un 835, bien que le schéma de dénomination ait été quelque peu déroutant tard, compte tenu des précédents 821, 820, 810, 808, 805, 801 et 800 Communiqués.
Quoi qu'il en soit, il est important de se rappeler de la prochaine centrale de SoCo de Qualcomm, quelle que soit la marque, c'est que les astuces et les analystes prévoient un autre facteur de réduction de la durée, d'un processus de 10 à 7nm. Samsung et TSMC restent en lice pour la fabrication réelle de la puce, la dernière fonderie semi-conductrice pure-play prétendant prévoir une progression de la performance entre 25 et 35 pour cent.
Il va sans dire que Samsung Galaxy S9 du printemps prochain devrait être le premier téléphone intelligent du monde à emballer cette chaleur supplémentaire, mais il n'est pas clair si une sorte de silicium intermédiaire est également prévu pour un déploiement d'automne à l'intérieur de la Note 8 ou du LG V30.
suivre Dhaouadi Aymensur
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